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中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片比NAND快一千倍

2018年11月01日 16:07 ? 次阅读

存储芯片一直是数码、家电等领域的必备芯片之一,企业代表着一个国家芯片的发展程度,它的重要性就如同前阵子国产“圆珠笔头”获得成功一样。无论是产业链来说,还是实际应用,存储芯片都显得很重要。日前中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片,更先进的28nm工艺版很快也会到来,这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍,耐用一千倍。

中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片比NAND快一千倍

先来看看中芯国际,其是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际自创建以来,已经成长为中国大陆规模最大、技术水准最高,世界排名第四的晶片代工企业。

目前在存储芯片市场,NAND闪存无疑是最受欢迎的,国际上一直在研究新的存储芯片, 那就是非易失性存储芯片了,而中芯国际的ReRAM(非易失性阻变式存储器)更是代表性的非易失性存储器。这也代表着中芯国际手上因此也多了一颗筹码,赶超日韩并不是梦。

中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片比NAND快一千倍

我国是世界最大的存储芯片消费国,占45%全球芯片需求量。但是超过90%的芯片消费依赖进口,本土集成电路公司进入半导体市场很晚,几乎是落后世界20年,而半导体公司极度依靠规模和产品周期,所以一直处于追赶状态。目前国家对集成电路行业日益重视,国家越发认识到芯片自主可控的重要性,因此,各种可替代的芯片都会陆续进行研发,尤其是航天和可靠性要求较高的领域。技术方面,海思、展讯等已经迎头赶上。国内在各种行业和领域,也会出现各种差异化的芯片。

而现在中国本土存储芯片正脱颖而出。外媒认为中国存储芯片实力会在10~15年内比肩和超越韩国。与此同时,紫光集团、中国电子、长电科技等公司相继通过数十亿美元的收购大手笔布局,跻身芯片国家队,而Intel高通Ti等国际芯片巨头也通过投资、成立分公司等方式加入了中国芯片产业的总动员。国产化存储芯片意味着三星的市场将会受到威胁,中国存储产业已初步落地,中国入局,势必引发国际巨头的产能扩充,以及市场的价格波动。外媒称中国露出了跃升为涵盖设计和生产的综合半导体大国的野心,中国将视线转向了半导体设计领域,是为了掌握未来IT(信息技术)产业的主导权。同时中国拥有世界最大的内需市场,半导体产业将实现迅猛发展。

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